文 | 半导体产业纵横
存储价格，时涨时落。
在 2024 年下半年，存储行业再度步入下行周期，其价格后续的发展态势引发了广泛关注。至 2025 年，存储价格究竟会走向何方？是延续下行趋势，还是触底反弹？这一系列问题已然成为业界内外聚焦的核心。
无论是存储行业从业者、相关产业链上下游企业，还是关注科技领域动态的普通消费者，均在密切关注 2025 年存储价格的走势。
本文依据市场当下的发展情形，综合部分行业专家与机构的见解，对 2025 年存储行业的发展走向予以预测。
上半年，DRAM 市况或难反转 价格走势分析
首先看 DRAM 的价格走势，根据市场研究公司 DRAMeXchange 在 12 月 8 日的数据显示，截至 11 月底，通用 PC DRAM 产品（DDR48Gb1Gx8）的平均固定交易价格为 1.35 美元，较 7 月份的 2.1 美元下跌了 35.7%。
Kiwoom 证券研究员 ParkYoo-ak 表示：” 预计今年年底和明年初 DRAM 价格将大幅下跌，幅度将超过预期。由于中国内存公司以低价销售产品，DRAM 供应增长率将超过需求增长率，这种情况将持续到明年第二季度。”
具体到产品，目前制程较成熟的 DDR4 和 LPDDR4X 产品已开始降价，DDR5 和 LPDDR5X 等先进制程产品的价格目前相对稳健。
关于 2025 年存储芯片的价格预测，TrendForce 表示，2025 年 DRAM 价格将转为下跌，上半年的跌幅较明显，其中，DDR4 和 LPDDR4X 的降价压力将持续大于 DDR5 与 LPDDR5X。
总的来看，TrendForce 与 Kiwoom 的观点基本一致，都指向了：明年上半年，DRAM 市场或许没有太多好消息。
减产还是扩产？
再看存储巨头的产能与资本开支情况，如今由于消费电子市场复苏不及预期，包括三星、SK 海力士等存储龙头开始酝酿减产以应对变化，这其中就包含 DRAM 产品，不过不同类型的存储产品相应的减产策略也不同。
和价格走势相对应，在 DRAM 产品领域，市场也呈现出一种鲜明的分化态势：一方面，DDR4 等传统 DRAM 产品的生产比重正逐渐缩减，面临着减产的压力；另一方面，针对人工智能存储需求而设计的先进 DRAM 产品则保持着稳步增产的态势。
日前，三星设备解决方案（DS）副总裁 KimJae-joon 表示，公司正下调通用 DRAM 与 NAND 存储产品的产量，以符合逐渐下滑的市场需求。三星预计将减少以 DDR4 为主的产能，把部分 DDR4 产能转移至 DDR5、LPDDR5 以及 HBM 等先进产品的生产上。
SK 海力士方面，业内人士透露，SK 海力士将降低其 DDR4 DRAM 芯片产能。今年第三季度 SK 海力士 DDR4 的生产比重已从第二季度的 40% 降至 30%，第四季度更计划进一步降至 20%，并将把有限产能转向人工智能用存储产品及先进 DRAM 产品。对此消息，SK 海力士并未进行回应。
NAND 价格恢复，也要等到明年下半年 价格走势分析
再看 NAND 的价格走势，根据市场调研机构 DramExchange 发布的数据显示，通用 NAND 固定价格自去年 10 月起连续 5 个月上涨后，从今年 3 月开始平稳，9 月转为下跌趋势。9 月至 11 月，NAND 价格环比分别下降 11.44%、29.18% 和 29.8%，8 月时 4.9 美元的价格已降至 2.16 美元，今年通用 NAND 价格已下跌超过 50%，跌至 2015 年 8 月以来的最低点。
TrendForce 预计 2024 年第四季度整体 NAND Flash 合约价格将下降 3-8%。至于明年的价格走势想必也不会太乐观，一方面 NAND Flash 市场表现不佳，另一方面其获利能力本不及 DRAM，因此明年或许会有部分产品线从 NAND Flash 转向 DRAM。
TrendForce 集邦咨询研究经理敖国锋预测，2024 年第四季度闪存价格将同比下降 8%，2025 年第一季度会再下降 10%，消费端闪存价格 2025 年下半年有望反弹回升 。
高端 NAND 闪存市场的表现态势要优于整体市场的平均水平，这在一定程度上能够缓解明年第一季度市场所面临的供应过剩压力。在 NAND 市场，AI 驱动的大容量 SSD 需求成为了市场复苏的关键。2025 年，30TB 和 60TB 的高容量 SSD 因其低能耗和高效的存储能力，正迅速替代传统的机械硬盘。这促使 NAND 供应商更加关注 QLC 技术，以提高存储密度并降低成本。
再看产能与投资情况
目前，主要的 3D NAND 制造商（铠侠、美光、三星和 SK 海力士）都在考虑减少非易失性存储器的产量，并减少对扩建额外闪存容量的投资。
三星在最新的财报电话会议中表示，公司无意在第四季度减少 NAND 产量，但将根据市场情况灵活调整。据悉，三星电子已逐步开始对中国西安的 NAND 闪存工厂生产线旧设备进行销售，预计出售过程将于 2025 年正式开始，其中大部分是 100 层 3D NAND 设备。
铠侠也在计划减少第四季度的 NAND 产量，以避免产能过剩问题。不过，铠侠表示为应对生成性 AI 浪潮需求，铠侠将于 2025 年大规模生产第八代 NAND 设备，并准备投产最先进存储产品。
HBM，一直很火
HBM 市场所呈现的景象，则与传统的 DRAM 产品截然不同。
随着 AI 芯片技术的不断迭代升级，单一芯片所能搭载的 HBM 容量正显著增长，2025 年 HBM 的出货量预计将同比增长 70%。
TrendForce 预期 2025 年 HBM 在 DRAM 市场的渗透率将逐步提升，预估 2025 年第四季度时，HBM 渗透率约达 10％，HBM3E 颗粒预计占 2025 年 HBM 的 85％。东兴证券研报预估 2025 年 HBM 将贡献 10% 的 DRAM 总产出，较 2024 年增长一倍。
作为一种创新的 3D 堆叠 DRAM 技术，它通过将多层 DRAM 芯片垂直堆叠，使用高带宽的串行接口与 GPU 或 CPU 直接相连，从而提供超过 DRAM 的带宽和容量。
前文提及的各大存储巨头正在积极扩产高端 DRAM，也是为应对 HBM 与 DDR5 DRAM 的需求。
此外，从 HBM 产品类型的发展趋势来看，未来 HBM 市场也将发生显著变化。比如，由于英伟达自 Blackwell GPU 开始，新产品会逐步转往 12 层 HBM3e，明年 HBM3e 将取代 HBM3 成主流产品。由于 HBM3e 平均售价（ASP）大约是传统 DRAM 产品的 3-5 倍，随着 HBM3e 产能的持续扩张，营收贡献将逐季增长。
到 2025 年，HBM3e 仍可能面临供应紧张的局面。
产能与投资情况
SK 海力士和美光都曾表示，2024 年 HBM 产能已经全部售罄，2025 年产能也已经基本分配完成；SK 海力士还表示订单能见度可达 2026 年一季度。自 2024 年第二季度开始，就有多家存储原厂为应对互联网巨头们的急单需求，开始将 DDR4 产能切换至 HBM 上。
目前，三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂（P1L、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM。同时，华城工厂（13/15/17 号生产线）正在升级到 1 α 工艺，仅保留 1y/1z 工艺的一小部分产能，以满足航空航天等特殊行业的需求。
SK 海力士以南韩利川市 M16 产线生产 HBM，并着手将 M14 产线升级为 1 α /1 β 制程，以供应 DDR5 和 HBM 产品。此外，无锡厂目前正积极将制程由 1y/1z 升级到 1z/1 α，分别用于生产 DDR4 及 DDR5 产品。
美光的 HBM 前段在日本广岛厂生产，产能预计 2024 年第四季提升至 2.5 万颗；长期将引入 EUV 制程（1 γ、1 δ），并建置全新无尘室。
在 SK 海力士、三星、美光三巨头的大力推动下，2025 年 HBM 芯片每月总产能为 54 万颗，相比较 2024 年增加 27.6 万颗，同比增长 105%。
存储行业，走上分叉口
尽管自 2024 年第四季度起，存储行业再度陷入衰退周期，但综观 2024 年全年的整体状况，存储市场相较于其他赛道，其表现仍显得颇为强劲。
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据显示，2024 年半导体市场将强劲增长 19%。然而，值得注意的是，这种增长势头仅集中于少数几个产品线。其中，存储市场预计将在 2024 年增长 81%，逻辑芯片预计将增长 16.9%。相比之下，微型产品线的增长则较为平缓，仅约 3.9%，而分立器件、光电器件、传感器以及模拟器件等领域均将出现下滑。如果剔除存储器市场，那么在 2024 年，WSTS 对其余半导体市场的预测增长率仅为 5.8%。
不夸张的说，2024 年的半导体行业，靠存储市场强撑。
2024 年存储器的强劲表现也反映在了半导体公司的营收状况之上。相较与前一年同期，在 2024 年前三季度，三星存储和 SK 海力士的收入分别增长了 109%，美光科技增长了 78%，铠侠则增长了 54%。
存储器市场能够实现如此强劲的增长，主要归因于 AI 应用领域对于存储器需求的持续攀升。在 2024 年，存储器价格呈现上涨趋势，尤其是 DRAM 产品。
众所周知，长期以来，存储器市场始终是半导体行业周期性波动的重要加剧因素。
下图是依据 WSTS 数据所绘制的图表，该图表呈现出了截至 2023 年半导体市场的年度变化状况，以及 WSTS 对 2024 年的预测情形。
该图表针对半导体总量、存储器市场以及剔除存储器后的半导体市场进行了比较分析。可以清晰地看到，存储器市场呈现出极为剧烈的波动，曾有高达 102% 的增长幅度以及 49% 的下滑幅度等极端情况出现，而与之形成鲜明对比的是，不包含存储器的市场则表现得较为平稳，其波动区间处于增长 42% 至下滑 26% 之间。
可以看到，在过去的十年历程中，存储器市场的变化跨度极大，从 2024 年高达 81% 的增长 2023 年 33% 的下滑，反观不包括存储器的市场，其变化范围仅在增长 25% 至下滑 2% 之间波动。
在过去四十年，每当存储器市场增长率超过 50% 时，第二年都会出现增长显著放缓或下滑。在 2024 年之前，这种情况已经发生了六次，其中四次存储器市场在第二年出现了下滑。另外两次，市场在第二年虽然保持正增长，但增速明显放缓，并在达到峰值后的第二年出现下滑。这些趋势是由大宗商品产品的基本供需关系驱动的。当供不应求时，存储器价格和产量就会上升。当供过于求时，产量和价格就会下降。
因此，该机构预计内存市场将在 2025 年或 2026 年出现大幅下滑。
业内龙头，怎么看？
存储龙头的动向，也体现出明年存储行业的发展走势掺杂诸多消极情绪。
近日，三星电子与 SK 海力士相继调整了 2024 年第四季度的盈利预估，这一动态紧随美光科技发布的悲观业绩展望之后，共同揭示了整个存储芯片市场的疲软现状。
具体而言，三星电子宣布将本季度的营业利润预期从原先的 9.77 万亿韩元下调至 8.58 万亿韩元，减幅超过 1 万亿韩元。这一调整主要归因于智能手机、个人电脑等传统 IT 产品市场需求的持续萎缩，进而影响了其核心 DRAM 业务的盈利能力。
与此同时，SK 海力士也更新了其业绩预测，尽管环比实现了 10.59% 的增长，预计第四季度营业利润将达到 77742 亿韩元，但与此前预测的 81117 亿韩元相比，仍下降了 4.16%，显示出市场预期的小幅下调。
早前，美光科技发布的 2025 财年第一财季财报虽然表现尚可，但其对第二财季的业绩展望却远低于市场预期，这一消息直接导致公司股价在盘后交易中大幅下跌。如今，三星电子与 SK 海力士的业绩调整似乎进一步印证了美光对市场前景的悲观判断。
根据行业分析机构 TrendForce 的分析，美光科技在 2 月份的季度中前景同样不容乐观，预计传统 DRAM 和 NAND 的平均售价将在 2025 年第一季度继续下滑。这一预测无疑为整个 DRAM 行业的前景蒙上了一层阴影。
综合上述信息，可以看出，当前存储芯片市场正面临着严峻的挑战。未来，如何应对这一市场寒冬，将成为半导体行业巨头们亟待解决的问题。
